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固體電子學(xué)研究與進展雜志簡介

固體電子學(xué)研究與進展雜志創(chuàng)刊于1981年，辦刊以來，融指導(dǎo)性、實用性、知識性于一體，發(fā)行周期為：雙月刊，經(jīng)過雜志社調(diào)整，不斷提高了刊物的整體質(zhì)量，在行業(yè)內(nèi)有一定的影響。

固體電子學(xué)研究與進展投稿須知
預(yù)計審稿時間：1-3個月

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(三)論文所涉及的課題如取得國家或部、省級以上基金或攻關(guān)項目，應(yīng)腳注于文題頁左下方，標(biāo)明“基金項目：基金資助（編號）”，并附基金證書及復(fù)印件。

(四)作者人數(shù)請控制在6人以下，嚴(yán)禁與論文無關(guān)人員掛名。聯(lián)系人請注明姓名、單位、地址、郵編、電子郵件等信息。

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固體電子學(xué)研究與進展歷史收錄信息

北大核心期刊（2020版）
北大核心期刊（2017版）
北大核心期刊（2014版）
北大核心期刊（2011版）
北大核心期刊（2008版）
北大核心期刊（2000版）
北大核心期刊（1996版）
北大核心期刊（1992版）
中國科技核心期刊
中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心（2011-2012）
中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴展（2017-2018）
中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴展（2015-2016）
中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴展（2013-2014）
Scopus數(shù)據(jù)庫
日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫
化學(xué)文摘（網(wǎng)絡(luò)版）

固體電子學(xué)研究與進展發(fā)表范例

基于光子晶體波導(dǎo)和腔耦合的光單向傳輸結(jié)構(gòu)

作者：段亞麗; 陳德媛; 喬晶; 谷云斌; 梁吳燕
高電容密度硅基MIS芯片電容

作者：湯寅; 張龍; 楊黨利; 譚德喜; 姚偉明; 王霄; 周劍明
一種具有良好溫度穩(wěn)定性的低功耗CMOS振蕩器

作者：馬躍; 萬培元; 關(guān)寶璐; 陳志杰
光刻膠流淌實現(xiàn)深亞微米柵工藝

作者：朱赤; 王溯源; 章軍云; 林罡; 黃念寧
毫米波15WGaAs單片大功率PIN限幅器

作者：彭龍新; 李真; 翟明

固體電子學(xué)研究與進展數(shù)據(jù)統(tǒng)計

被引次數(shù)統(tǒng)計

影響因子統(tǒng)計

名詞解釋：

被引次數(shù)：指該刊被當(dāng)參考文獻的引用次數(shù)，以及被下載次數(shù)。

影響因子：指該刊在某年被全部源刊物引證該刊前兩年發(fā)表論文的次數(shù)，與該刊前兩年所發(fā)表的全部源論文數(shù)之比。

主要參考文獻期刊分析：

主要引證文獻期刊分析：

固體電子學(xué)研究與進展同類期刊推薦

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù)，請聯(lián)系出版商，地址：南京1601信箱43分箱，郵編：210016。

固體電子學(xué)研究與進展雜志

Research & Progress of SSE Solid State Electronics

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基于光子晶體波導(dǎo)和腔耦合的光單向傳輸結(jié)構(gòu)

高電容密度硅基MIS芯片電容

一種具有良好溫度穩(wěn)定性的低功耗CMOS振蕩器

光刻膠流淌實現(xiàn)深亞微米柵工藝

毫米波15WGaAs單片大功率PIN限幅器

固體電子學(xué)研究與進展數(shù)據(jù)統(tǒng)計

被引次數(shù)統(tǒng)計

影響因子統(tǒng)計

主要參考文獻期刊分析：

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熱門問題

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固體電子學(xué)研究與進展雜志

Research & Progress of SSE Solid State Electronics

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固體電子學(xué)研究與進展發(fā)表范例

基于光子晶體波導(dǎo)和腔耦合的光單向傳輸結(jié)構(gòu)

高電容密度硅基MIS芯片電容

一種具有良好溫度穩(wěn)定性的低功耗CMOS振蕩器

光刻膠流淌實現(xiàn)深亞微米柵工藝

毫米波15WGaAs單片大功率PIN限幅器

固體電子學(xué)研究與進展數(shù)據(jù)統(tǒng)計

被引次數(shù)統(tǒng)計

影響因子統(tǒng)計

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