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半導(dǎo)體光電雜志簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體光電雜志創(chuàng)刊于1976年，辦刊以來(lái)，融指導(dǎo)性、實(shí)用性、知識(shí)性于一體，發(fā)行周期為：雙月刊，經(jīng)過(guò)雜志社調(diào)整，不斷提高了刊物的整體質(zhì)量，在行業(yè)內(nèi)有一定的影響。

半導(dǎo)體光電投稿須知
預(yù)計(jì)審稿時(shí)間：1-3個(gè)月

(一)摘要中不出現(xiàn)圖、表、化學(xué)結(jié)構(gòu)式和非公知用的符號(hào)和術(shù)語(yǔ)，也不宜引用文中圖、表、公式和參考文獻(xiàn)的序號(hào)。關(guān)鍵詞一般選用3～5個(gè)敘詞，中英文相一致。

(二)“作者簡(jiǎn)介”的格式如下：作者簡(jiǎn)介包括:姓名、學(xué)位、職稱、研究方向，研究生文章需其導(dǎo)師任通訊作者，并注明通訊作者的職稱、是否碩博導(dǎo)師。

(三)正文采用宋體五號(hào)。凡另起一行的整段引文用五號(hào)楷體，前(左)面縮進(jìn)四格，后 (右)面不縮進(jìn)。

(四)參考文獻(xiàn)在文中需用括號(hào)表示著者和出版年信息，例如（王玲，1983），著錄根據(jù)《信息與文獻(xiàn) 參考文獻(xiàn)著錄規(guī)則》（GB/T 7714—2015）國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定執(zhí)行。

(五)作者請(qǐng)自留底稿，3個(gè)月內(nèi)未收到采用通知可自行處理。因本刊人手有限，來(lái)稿恕不退還，請(qǐng)多諒解。

半導(dǎo)體光電歷史收錄信息

北大核心期刊（2023版）
北大核心期刊（2020版）
北大核心期刊（2017版）
北大核心期刊（2014版）
北大核心期刊（2011版）
北大核心期刊（2008版）
北大核心期刊（2004版）
北大核心期刊（2000版）
北大核心期刊（1996版）
北大核心期刊（1992版）
中國(guó)科技核心期刊
中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-擴(kuò)展（2013-2014）
中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-擴(kuò)展（2011-2012）
日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)
化學(xué)文摘（網(wǎng)絡(luò)版）

半導(dǎo)體光電發(fā)表范例

選擇區(qū)域外延生長(zhǎng)中掩模介質(zhì)表面Ga原子的遷移特性

作者：楊杭; 邢潔瑩; 陳偉杰; 陳杰; 韓小標(biāo); 鐘昌明; 梁捷智; 黃德佳; 侯雅倩; 吳志盛; 張佰君
CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽(yáng)電池晶粒尺寸及光電性能調(diào)控

作者：鄭建強(qiáng); 陳濤; 倪斌; 范煒盛; 程國(guó)慶; 王玉琦
基于CMOS工藝的抗光噪聲神經(jīng)微電極

作者：王飛; 張雪蓮; 裴為華; 陳弘達(dá)
全透明低回滯s-SWCNT/AgNW薄膜晶體管的可控制備

作者：呂前進(jìn); 余小芹; 呂正霞; 高冰; 張小品; 邱松; 金赫華; 門(mén)傳玲; 李清文
膜厚對(duì)泡沫鎳負(fù)載TiO2納米薄膜附著度和光電響應(yīng)的影響

作者：王雅琨; 劉明生; 李燕; 楊新榮
基于光波導(dǎo)的高耦合效率垂直耦合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

作者：來(lái)新泉; 王一鳴; 劉晨; 張凌飛
PCB板級(jí)電路中高效散熱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)

作者：劉維紅; 李丹
Pt負(fù)載型TiO2納米管陣列的制備及其紫外探測(cè)性能

作者：程宏偉; 李剛; 郭麗芳; 程再軍
改型Wollaston棱鏡干涉光譜儀的調(diào)制度研究

作者：叢麟驍; 黃旻; 才啟勝; 齊云松
衛(wèi)星星內(nèi)漫反射無(wú)線光通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)

作者：張子儒; 張冬冬; 丁雷

半導(dǎo)體光電數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

被引次數(shù)統(tǒng)計(jì)

影響因子統(tǒng)計(jì)

名詞解釋：

被引次數(shù)：指該刊被當(dāng)參考文獻(xiàn)的引用次數(shù)，以及被下載次數(shù)。

影響因子：指該刊在某年被全部源刊物引證該刊前兩年發(fā)表論文的次數(shù)，與該刊前兩年所發(fā)表的全部源論文數(shù)之比。

主要參考文獻(xiàn)期刊分析：

主要引證文獻(xiàn)期刊分析：

半導(dǎo)體光電同類期刊推薦

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù)，請(qǐng)聯(lián)系出版商，地址：重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號(hào)，郵編：400060。

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半導(dǎo)體光電雜志

Semiconductor Optoelectronics

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半導(dǎo)體光電發(fā)表范例

選擇區(qū)域外延生長(zhǎng)中掩模介質(zhì)表面Ga原子的遷移特性

CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽(yáng)電池晶粒尺寸及光電性能調(diào)控

基于CMOS工藝的抗光噪聲神經(jīng)微電極

全透明低回滯s-SWCNT/AgNW薄膜晶體管的可控制備

膜厚對(duì)泡沫鎳負(fù)載TiO2納米薄膜附著度和光電響應(yīng)的影響

基于光波導(dǎo)的高耦合效率垂直耦合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

PCB板級(jí)電路中高效散熱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)

Pt負(fù)載型TiO2納米管陣列的制備及其紫外探測(cè)性能

改型Wollaston棱鏡干涉光譜儀的調(diào)制度研究

衛(wèi)星星內(nèi)漫反射無(wú)線光通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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被引次數(shù)統(tǒng)計(jì)

影響因子統(tǒng)計(jì)

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熱門(mén)問(wèn)題

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Semiconductor Optoelectronics

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半導(dǎo)體光電發(fā)表范例

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全透明低回滯s-SWCNT/AgNW薄膜晶體管的可控制備

膜厚對(duì)泡沫鎳負(fù)載TiO2納米薄膜附著度和光電響應(yīng)的影響

基于光波導(dǎo)的高耦合效率垂直耦合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

PCB板級(jí)電路中高效散熱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)

Pt負(fù)載型TiO2納米管陣列的制備及其紫外探測(cè)性能

改型Wollaston棱鏡干涉光譜儀的調(diào)制度研究

衛(wèi)星星內(nèi)漫反射無(wú)線光通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)

半導(dǎo)體光電數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

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