當(dāng)稿件被《半導(dǎo)體光電》期刊退修后，可按以下流程進(jìn)行修改，以提高錄用概率：
一、分析退稿原因
1.?仔細(xì)閱讀退稿通知：明確編輯或?qū)徃迦酥赋龅膯栴}，如選題不符、創(chuàng)新性不足、數(shù)據(jù)缺陷或語言表達(dá)問題?。
2.區(qū)分退稿類型：可修改退稿、拒稿（若意見表明“研究方向不符”，建議改投其他期刊）
二、針對(duì)性修改策略
1.深入探討研究問題，提供更全面、深入的分析和討論。
2.增加相關(guān)理論背景和文獻(xiàn)綜述，以支持研究論點(diǎn)的合理性和創(chuàng)新性。
三、重新投稿準(zhǔn)備
1.?附修改說明：逐條回應(yīng)審稿意見，說明修改內(nèi)容及依據(jù)。
2.核對(duì)期刊要求：
(一)摘要中不出現(xiàn)圖、表、化學(xué)結(jié)構(gòu)式和非公知用的符號(hào)和術(shù)語，也不宜引用文中圖、表、公式和參考文獻(xiàn)的序號(hào)。關(guān)鍵詞一般選用3～5個(gè)敘詞，中英文相一致。
(二)“作者簡介”的格式如下：作者簡介包括:姓名、學(xué)位、職稱、研究方向，研究生文章需其導(dǎo)師任通訊作者，并注明通訊作者的職稱、是否碩博導(dǎo)師。
(三)正文采用宋體五號(hào)。凡另起一行的整段引文用五號(hào)楷體，前(左)面縮進(jìn)四格，后 (右)面不縮進(jìn)。
(四)參考文獻(xiàn)在文中需用括號(hào)表示著者和出版年信息，例如（王玲，1983），著錄根據(jù)《信息與文獻(xiàn) 參考文獻(xiàn)著錄規(guī)則》（GB/T 7714—2015）國家標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定執(zhí)行。
(五)作者請(qǐng)自留底稿，3個(gè)月內(nèi)未收到采用通知可自行處理。因本刊人手有限，來稿恕不退還，請(qǐng)多諒解。
綜上所述，通過不斷地修改和完善，提高稿件的質(zhì)量和學(xué)術(shù)水平，增加被期刊錄用的機(jī)會(huì)。
《半導(dǎo)體光電》是一本在電子領(lǐng)域具有較高影響力的學(xué)術(shù)理論期刊，于1976年創(chuàng)刊，由中國電子科技集團(tuán)有限公司主管，重慶光電技術(shù)研究所主辦，為雙月刊，國內(nèi)統(tǒng)一刊號(hào)為CN：50-1092/TN，國際標(biāo)準(zhǔn)刊號(hào)為ISSN：1001-5868。
該刊設(shè)置了動(dòng)態(tài)綜述、光電器件、材料、結(jié)構(gòu)及工藝、光電技術(shù)及應(yīng)用等欄目，覆蓋電子領(lǐng)域多個(gè)研究方向，以反映電子領(lǐng)域的最新動(dòng)態(tài)和發(fā)展趨勢。
半導(dǎo)體光電發(fā)表范例
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選擇區(qū)域外延生長中掩模介質(zhì)表面Ga原子的遷移特性
作者：楊杭; 邢潔瑩; 陳偉杰; 陳杰; 韓小標(biāo); 鐘昌明; 梁捷智; 黃德佳; 侯雅倩; 吳志盛; 張佰君
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CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽電池晶粒尺寸及光電性能調(diào)控
作者：鄭建強(qiáng); 陳濤; 倪斌; 范煒盛; 程國慶; 王玉琦
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基于CMOS工藝的抗光噪聲神經(jīng)微電極
作者：王飛; 張雪蓮; 裴為華; 陳弘達(dá)
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全透明低回滯s-SWCNT/AgNW薄膜晶體管的可控制備
作者：呂前進(jìn); 余小芹; 呂正霞; 高冰; 張小品; 邱松; 金赫華; 門傳玲; 李清文
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膜厚對(duì)泡沫鎳負(fù)載TiO2納米薄膜附著度和光電響應(yīng)的影響
作者：王雅琨; 劉明生; 李燕; 楊新榮
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基于光波導(dǎo)的高耦合效率垂直耦合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
作者：來新泉; 王一鳴; 劉晨; 張凌飛
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PCB板級(jí)電路中高效散熱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)
作者：劉維紅; 李丹
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Pt負(fù)載型TiO2納米管陣列的制備及其紫外探測性能
作者：程宏偉; 李剛; 郭麗芳; 程再軍
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改型Wollaston棱鏡干涉光譜儀的調(diào)制度研究
作者：叢麟驍; 黃旻; 才啟勝; 齊云松
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衛(wèi)星星內(nèi)漫反射無線光通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)
作者：張子儒; 張冬冬; 丁雷
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