當(dāng)稿件被《半導(dǎo)體信息》期刊退修后,可按以下流程進(jìn)行修改,以提高錄用概率:
一、分析退稿原因
1.?仔細(xì)閱讀退稿通知:明確編輯或?qū)徃迦酥赋龅膯?wèn)題,如選題不符、創(chuàng)新性不足、數(shù)據(jù)缺陷或語(yǔ)言表達(dá)問(wèn)題?。
2.區(qū)分退稿類(lèi)型:可修改退稿、拒稿(若意見(jiàn)表明“研究方向不符”,建議改投其他期刊)
二、針對(duì)性修改策略
1.深入探討研究問(wèn)題,提供更全面、深入的分析和討論。
2.增加相關(guān)理論背景和文獻(xiàn)綜述,以支持研究論點(diǎn)的合理性和創(chuàng)新性。
三、重新投稿準(zhǔn)備
1.?附修改說(shuō)明:逐條回應(yīng)審稿意見(jiàn),說(shuō)明修改內(nèi)容及依據(jù)。
2.核對(duì)期刊要求:
(一)若有基金資助,請(qǐng)?jiān)陬}名下方另行“基金項(xiàng)目”寫(xiě)明項(xiàng)目全稱及批號(hào),并上傳基金批文復(fù)印件。
(二)文稿標(biāo)題層次用阿拉伯?dāng)?shù)字分級(jí)編號(hào),如1級(jí)標(biāo)題用 1……,2級(jí)標(biāo)題用1.1……,余類(lèi)推。通常設(shè)2至3級(jí),不超過(guò)4級(jí)。文內(nèi)標(biāo)題力求簡(jiǎn)短,一般不超過(guò)15個(gè)字。
(三)參考文獻(xiàn):列出作者親自閱讀過(guò)的、公開(kāi)發(fā)表的文獻(xiàn)。
(四)關(guān)鍵詞論著須分別在中、英文摘要后標(biāo)引2~5個(gè)中、英文關(guān)鍵詞。
(五)作者姓名在題名下按序排列,排序應(yīng)由全體作者共同討論確定,稿件受理后不應(yīng)再作改動(dòng)。確需改動(dòng)時(shí),必須出示單位證明以及所有作者親筆簽名表明對(duì)署名改動(dòng)無(wú)異議的書(shū)面證明。
綜上所述,通過(guò)不斷地修改和完善,提高稿件的質(zhì)量和學(xué)術(shù)水平,增加被期刊錄用的機(jī)會(huì)。
《半導(dǎo)體信息》是一本在電子領(lǐng)域具有較高影響力的學(xué)術(shù)理論期刊,于1990年創(chuàng)刊,由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件專業(yè)協(xié)會(huì) 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所主管,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所主辦,為雙月刊。
該刊設(shè)置了企業(yè)指南、國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場(chǎng)動(dòng)態(tài)等欄目,覆蓋電子領(lǐng)域多個(gè)研究方向,以反映電子領(lǐng)域的最新動(dòng)態(tài)和發(fā)展趨勢(shì)。
半導(dǎo)體信息發(fā)表范例
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力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
作者:--
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提高車(chē)載充電器效率 英飛凌推首款車(chē)用碳化硅產(chǎn)品
作者:--
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英飛凌推出新型950V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件
作者:--
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埃賦隆半導(dǎo)體推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管
作者:--
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Integra公司推出用于敵我識(shí)別器航空電子設(shè)備的射頻和微波晶體管
作者:--
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Ampleon面向粒子加速器推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管而引領(lǐng)射頻功率效率
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英國(guó)比克科技兩款射頻新產(chǎn)品
作者:--
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Empower RF 推出600—6000MHz 150W GaN系統(tǒng)放大器
作者:--
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美國(guó)Integra公司推出碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)射頻功率放大器模塊用于高性能L波段航空電子系統(tǒng)
作者:--
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美國(guó)Macom公司新推出GaAs基單刀雙擲開(kāi)關(guān)針對(duì)電子戰(zhàn)和寬帶通信系統(tǒng)等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
作者:--
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