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    • 半導(dǎo)體信息雜志可以通過(guò)哪些方式投稿?

      《半導(dǎo)體信息》期刊提供以下投稿方式及注意事項(xiàng):

      一、在線投稿:通過(guò)期刊官網(wǎng)在線投稿,系統(tǒng)支持稿件上傳、進(jìn)度查詢及審稿意見(jiàn)反饋,需注冊(cè)賬號(hào)后提交。

      二、郵箱投稿:部分欄目接受郵箱投稿,《半導(dǎo)體信息》期刊地址:南京市1601信箱43分箱(南京市中山東路524號(hào))。

      三、注意事項(xiàng):在投稿前,務(wù)必仔細(xì)閱讀投稿指南和要求,確保稿件內(nèi)容、格式等方面符合要求。

      投稿須知:

      (一)若有基金資助,請(qǐng)?jiān)陬}名下方另行“基金項(xiàng)目”寫明項(xiàng)目全稱及批號(hào),并上傳基金批文復(fù)印件。

      (二)文稿標(biāo)題層次用阿拉伯?dāng)?shù)字分級(jí)編號(hào),如1級(jí)標(biāo)題用 1……,2級(jí)標(biāo)題用1.1……,余類推。通常設(shè)2至3級(jí),不超過(guò)4級(jí)。文內(nèi)標(biāo)題力求簡(jiǎn)短,一般不超過(guò)15個(gè)字。

      (三)參考文獻(xiàn):列出作者親自閱讀過(guò)的、公開(kāi)發(fā)表的文獻(xiàn)。

      (四)關(guān)鍵詞論著須分別在中、英文摘要后標(biāo)引2~5個(gè)中、英文關(guān)鍵詞。

      (五)作者姓名在題名下按序排列,排序應(yīng)由全體作者共同討論確定,稿件受理后不應(yīng)再作改動(dòng)。確需改動(dòng)時(shí),必須出示單位證明以及所有作者親筆簽名表明對(duì)署名改動(dòng)無(wú)異議的書(shū)面證明。

      保持聯(lián)系暢通:在投稿后,保持聯(lián)系方式暢通,以便編輯部在審核過(guò)程中能夠及時(shí)與作者溝通。

      耐心等待審核:由于編輯部工作量較大,審核過(guò)程可能需要一定時(shí)間,預(yù)計(jì)審稿時(shí)間為:1個(gè)月內(nèi),作者應(yīng)耐心等待審核結(jié)果,并避免頻繁催稿。

      綜上所述,向《半導(dǎo)體信息》期刊投稿可以選擇在線投稿或郵箱投稿兩種方式。在投稿過(guò)程中,作者應(yīng)仔細(xì)閱讀投稿指南和要求,確保稿件內(nèi)容、格式等方面符合要求,并保持聯(lián)系方式暢通以便與編輯部溝通。

      《半導(dǎo)體信息》期刊是一本在我國(guó)電子領(lǐng)域具有廣泛影響力的學(xué)術(shù)期刊。它致力于為電子理論研究者和電子實(shí)踐工作者搭建交流平臺(tái),全方位展示電子領(lǐng)域的前沿成果與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),創(chuàng)刊于1990年,是由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件專業(yè)協(xié)會(huì) 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所主管,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所主辦的學(xué)術(shù)理論期刊。

      半導(dǎo)體信息發(fā)表范例

      • 力特公司推出首款1700V SiC MOSFET

        作者:--

      • 提高車載充電器效率 英飛凌推首款車用碳化硅產(chǎn)品

        作者:--

      • 英飛凌推出新型950V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

        作者:--

      • 埃賦隆半導(dǎo)體推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管

        作者:--

      • Integra公司推出用于敵我識(shí)別器航空電子設(shè)備的射頻和微波晶體管

        作者:--

      • Ampleon面向粒子加速器推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管而引領(lǐng)射頻功率效率

        作者:--

      • 英國(guó)比克科技兩款射頻新產(chǎn)品

        作者:--

      • Empower RF 推出600—6000MHz 150W GaN系統(tǒng)放大器

        作者:--

      • 美國(guó)Integra公司推出碳化硅(SiC)基氮化鎵(GaN)射頻功率放大器模塊用于高性能L波段航空電子系統(tǒng)

        作者:--

      • 美國(guó)Macom公司新推出GaAs基單刀雙擲開(kāi)關(guān)針對(duì)電子戰(zhàn)和寬帶通信系統(tǒng)等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化

        作者:--

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      半導(dǎo)體信息雜志

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      主辦單位:中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所

      主管單位:中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件專業(yè)協(xié)會(huì) 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所

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